Память с поддержкой кислородной вакансии: исследования расширяют базовые знания о энергонезависимой памяти
В недавней статье, только что опубликованной в журнале Advanced Functional Materials, исследователи исследовали, почему устройства на основе оксида гафния так многообещающи для приложений памяти и как можно настроить материал для работы на желаемом уровне. Эти знания могут стать основой для будущего массового применения во всех видах электронных устройств. …